70V657S10BFG

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Numéro d'article	70V657S10BFG
LIXINC Part #	70V657S10BFG
Fabricant	Renesas Electronics America
Catégorie	circuits intégrés › mémoire
Description	IC SRAM 1.125MBIT PAR 208FPBGA
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	70V657S10BFG Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

70V657S10BFG Caractéristiques

Numéro d'article:	70V657S10BFG
Marque:	Renesas Electronics America
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	circuits intégrés
Sous-catégorie:	mémoire
Fabricant:	Renesas Electronics America
série:	-
emballer:	Tray
état de la pièce:	Active
type de mémoire:	Volatile
formatage de la mémoire:	SRAM
technologie:	SRAM - Dual Port, Asynchronous
taille mémoire:	1.125Mb (32K x 36)
interface mémoire:	Parallel
fréquence d'horloge:	-
temps de cycle d'écriture - mot, page:	10ns
temps d'accès:	10 ns
tension - alimentation:	3.15V ~ 3.45V
température de fonctionnement:	0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	208-LFBGA
paquet de dispositif de fournisseur:	208-FPBGA (15x15)

70V657S10BFG Documents

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