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S29GL512T13DHNV23

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Numéro d'article S29GL512T13DHNV23
LIXINC Part # S29GL512T13DHNV23
Fabricant Cypress Semiconductor
Catégorie circuits intégrés › mémoire
Description IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO S29GL512T13DHNV23 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 28 - Nov 01 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

S29GL512T13DHNV23 Caractéristiques

Numéro d'article:S29GL512T13DHNV23
Marque:Cypress Semiconductor
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:Cypress Semiconductor
série:GL-T
emballer:Tape & Reel (TR)
état de la pièce:Active
type de mémoire:Non-Volatile
formatage de la mémoire:FLASH
technologie:FLASH - NOR
taille mémoire:512Mb (64M x 8)
interface mémoire:Parallel
fréquence d'horloge:-
temps de cycle d'écriture - mot, page:60ns
temps d'accès:130 ns
tension - alimentation:1.65V ~ 3.6V
température de fonctionnement:-40°C ~ 125°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:64-LBGA
paquet de dispositif de fournisseur:64-FBGA (9x9)

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