CY7C2170KV18-550BZXC

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Numéro d'article CY7C2170KV18-550BZXC
LIXINC Part # CY7C2170KV18-550BZXC
Fabricant Rochester Electronics
Catégorie circuits intégrésmémoire
Description DDR SRAM, 512KX36, 0.45NS PBGA16
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO CY7C2170KV18-550BZXC Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 28 - Nov 01 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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CY7C2170KV18-550BZXC Caractéristiques

Numéro d'article:CY7C2170KV18-550BZXC
Marque:Rochester Electronics
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:Rochester Electronics
série:-
emballer:Bulk
état de la pièce:Active
type de mémoire:Volatile
formatage de la mémoire:SRAM
technologie:SRAM - Synchronous, DDR II+
taille mémoire:18Mb (512K x 36)
interface mémoire:Parallel
fréquence d'horloge:550 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:-
temps d'accès:-
tension - alimentation:1.7V ~ 1.9V
température de fonctionnement:0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:165-LBGA
paquet de dispositif de fournisseur:165-FBGA (13x15)

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