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AS4C64M8D3L-12BIN

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Numéro d'article AS4C64M8D3L-12BIN
LIXINC Part # AS4C64M8D3L-12BIN
Fabricant Alliance Memory, Inc.
Catégorie circuits intégrés › mémoire
Description IC DRAM 512MBIT PARALLEL 78FBGA
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO AS4C64M8D3L-12BIN Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 29 - Nov 02 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

AS4C64M8D3L-12BIN Caractéristiques

Numéro d'article:AS4C64M8D3L-12BIN
Marque:Alliance Memory, Inc.
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:Alliance Memory, Inc.
série:-
emballer:Tray
état de la pièce:Active
type de mémoire:Volatile
formatage de la mémoire:DRAM
technologie:SDRAM - DDR3
taille mémoire:512Mb (64M x 8)
interface mémoire:Parallel
fréquence d'horloge:800 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:-
temps d'accès:20 ns
tension - alimentation:1.283V ~ 1.45V
température de fonctionnement:-40°C ~ 95°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:78-VFBGA
paquet de dispositif de fournisseur:78-FBGA (8x10.5)

AS4C64M8D3L-12BIN Documents

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