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CY14E116N-Z30XI

CY14E116N-Z30XI
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Numéro d'article CY14E116N-Z30XI
LIXINC Part # CY14E116N-Z30XI
Fabricant Rochester Electronics
Catégorie circuits intégrés › mémoire
Description NON-VOLATILE SRAM, 1MX16, 30NS P
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO CY14E116N-Z30XI Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 29 - Nov 02 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

CY14E116N-Z30XI Caractéristiques

Numéro d'article:CY14E116N-Z30XI
Marque:Rochester Electronics
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:Rochester Electronics
série:-
emballer:Bulk
état de la pièce:Active
type de mémoire:Non-Volatile
formatage de la mémoire:NVSRAM
technologie:NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
taille mémoire:16Mb (1M x 16)
interface mémoire:Parallel
fréquence d'horloge:-
temps de cycle d'écriture - mot, page:30ns
temps d'accès:30 ns
tension - alimentation:4.5V ~ 5.5V
température de fonctionnement:-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
paquet de dispositif de fournisseur:48-TSOP I

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