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DS1225AB-200IND

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Numéro d'article DS1225AB-200IND
LIXINC Part # DS1225AB-200IND
Fabricant Rochester Electronics
Catégorie circuits intégrés › mémoire
Description IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO DS1225AB-200IND Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 20 - Oct 24 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

DS1225AB-200IND Caractéristiques

Numéro d'article:DS1225AB-200IND
Marque:Rochester Electronics
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:Rochester Electronics
série:-
emballer:Tube
état de la pièce:Obsolete
type de mémoire:Non-Volatile
formatage de la mémoire:NVSRAM
technologie:NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
taille mémoire:64Kb (8K x 8)
interface mémoire:Parallel
fréquence d'horloge:-
temps de cycle d'écriture - mot, page:200ns
temps d'accès:200 ns
tension - alimentation:4.75V ~ 5.25V
température de fonctionnement:-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:Through Hole
paquet / caisse:28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
paquet de dispositif de fournisseur:28-EDIP

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