CYDMX128B16-65BVXI

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Numéro d'article	CYDMX128B16-65BVXI
LIXINC Part #	CYDMX128B16-65BVXI
Fabricant	Rochester Electronics
Catégorie	circuits intégrés › mémoire
Description	DUAL-PORT SRAM, 8KX16, 65NS PBGA
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	CYDMX128B16-65BVXI Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 24 - Oct 28 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

CYDMX128B16-65BVXI Caractéristiques

Numéro d'article:	CYDMX128B16-65BVXI
Marque:	Rochester Electronics
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	circuits intégrés
Sous-catégorie:	mémoire
Fabricant:	Rochester Electronics
série:	-
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Active
type de mémoire:	Volatile
formatage de la mémoire:	SRAM
technologie:	SRAM - Dual Port, MoBL
taille mémoire:	128Kb (8K x 16)
interface mémoire:	Parallel
fréquence d'horloge:	-
temps de cycle d'écriture - mot, page:	65ns
temps d'accès:	65 ns
tension - alimentation:	1.8V ~ 3.3V
température de fonctionnement:	-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	100-VFBGA
paquet de dispositif de fournisseur:	100-VFBGA (6x6)

CYDMX128B16-65BVXI Documents

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