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AS4C32M16MSA-6BIN

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Numéro d'article AS4C32M16MSA-6BIN
LIXINC Part # AS4C32M16MSA-6BIN
Fabricant Alliance Memory, Inc.
Catégorie circuits intégrés › mémoire
Description IC DRAM 512MBIT PARALLEL 54FBGA
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO AS4C32M16MSA-6BIN Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 24 - Oct 28 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

AS4C32M16MSA-6BIN Caractéristiques

Numéro d'article:AS4C32M16MSA-6BIN
Marque:Alliance Memory, Inc.
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:Alliance Memory, Inc.
série:-
emballer:Tray
état de la pièce:Active
type de mémoire:Volatile
formatage de la mémoire:DRAM
technologie:SDRAM - Mobile SDRAM
taille mémoire:512Mb (32M x 16)
interface mémoire:Parallel
fréquence d'horloge:166 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:-
temps d'accès:5.5 ns
tension - alimentation:1.7V ~ 1.95V
température de fonctionnement:-40°C ~ 85°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:54-VFBGA
paquet de dispositif de fournisseur:54-FBGA (8x8)

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