IS42RM32800E-6BLI | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) IS42RM32800E-6BLI | IS42RM32800E-6BLI Inventory, Best Pricing

IS42RM32800E-6BLI

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	IS42RM32800E-6BLI
LIXINC Part #	IS42RM32800E-6BLI
Fabricant	ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Catégorie	circuits intégrés › mémoire
Description	IC DRAM 256MBIT PARALLEL 90TFBGA
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	IS42RM32800E-6BLI Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 08 - Oct 12 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

IS42RM32800E-6BLI Caractéristiques

Numéro d'article:	IS42RM32800E-6BLI
Marque:	ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	circuits intégrés
Sous-catégorie:	mémoire
Fabricant:	ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
série:	-
emballer:	Tray
état de la pièce:	Not For New Designs
type de mémoire:	Volatile
formatage de la mémoire:	DRAM
technologie:	SDRAM - Mobile
taille mémoire:	256Mb (8M x 32)
interface mémoire:	Parallel
fréquence d'horloge:	166 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:	-
temps d'accès:	5.5 ns
tension - alimentation:	2.3V ~ 3V
température de fonctionnement:	-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	90-TFBGA
paquet de dispositif de fournisseur:	90-TFBGA (8x13)