BR93G66FVJ-3BGTE2 | ROHM Semiconductor BR93G66FVJ-3BGTE2 | BR93G66FVJ-3BGTE2 Inventory, Best Pricing

BR93G66FVJ-3BGTE2

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Numéro d'article	BR93G66FVJ-3BGTE2
LIXINC Part #	BR93G66FVJ-3BGTE2
Fabricant	ROHM Semiconductor
Catégorie	circuits intégrés › mémoire
Description	IC EEPROM 4KBIT SPI 3MHZ 8TSSOP
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	BR93G66FVJ-3BGTE2 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 08 - Oct 12 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

BR93G66FVJ-3BGTE2 Caractéristiques

Numéro d'article:	BR93G66FVJ-3BGTE2
Marque:	ROHM Semiconductor
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	circuits intégrés
Sous-catégorie:	mémoire
Fabricant:	ROHM Semiconductor
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type de mémoire:	Non-Volatile
formatage de la mémoire:	EEPROM
technologie:	EEPROM
taille mémoire:	4Kb (256 x 16)
interface mémoire:	SPI
fréquence d'horloge:	3 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:	5ms
temps d'accès:	-
tension - alimentation:	1.7V ~ 5.5V
température de fonctionnement:	-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
paquet de dispositif de fournisseur:	8-TSSOP-BJ