CY14MB064J1-SXI

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Numéro d'article CY14MB064J1-SXI
LIXINC Part # CY14MB064J1-SXI
Fabricant Rochester Electronics
Catégorie circuits intégrésmémoire
Description NON-VOLATILE SRAM, 8KX8, CMOS, P
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO CY14MB064J1-SXI Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 09 - Oct 13 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

CY14MB064J1-SXI Caractéristiques

Numéro d'article:CY14MB064J1-SXI
Marque:Rochester Electronics
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:Rochester Electronics
série:-
emballer:Bulk
état de la pièce:Active
type de mémoire:Non-Volatile
formatage de la mémoire:NVSRAM
technologie:NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
taille mémoire:64Kb (8K x 8)
interface mémoire:I²C
fréquence d'horloge:3.4 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:-
temps d'accès:-
tension - alimentation:2.7V ~ 3.6V
température de fonctionnement:-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
paquet de dispositif de fournisseur:8-SOIC

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