CY14B104NA-BA25XI

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Numéro d'article	CY14B104NA-BA25XI
LIXINC Part #	CY14B104NA-BA25XI
Fabricant	Cypress Semiconductor
Catégorie	circuits intégrés › mémoire
Description	IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	CY14B104NA-BA25XI Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 21 - Oct 25 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

CY14B104NA-BA25XI Caractéristiques

Numéro d'article:	CY14B104NA-BA25XI
Marque:	Cypress Semiconductor
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	circuits intégrés
Sous-catégorie:	mémoire
Fabricant:	Cypress Semiconductor
série:	-
emballer:	Tray
état de la pièce:	Active
type de mémoire:	Non-Volatile
formatage de la mémoire:	NVSRAM
technologie:	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
taille mémoire:	4Mb (256K x 16)
interface mémoire:	Parallel
fréquence d'horloge:	-
temps de cycle d'écriture - mot, page:	25ns
temps d'accès:	25 ns
tension - alimentation:	2.7V ~ 3.6V
température de fonctionnement:	-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	48-TFBGA
paquet de dispositif de fournisseur:	48-FBGA (6x10)

CY14B104NA-BA25XI Documents

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