CY62147G18-55BVXI

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Numéro d'article	CY62147G18-55BVXI
LIXINC Part #	CY62147G18-55BVXI
Fabricant	Rochester Electronics
Catégorie	circuits intégrés › mémoire
Description	IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48VFBGA
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	CY62147G18-55BVXI Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 18 - Oct 22 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

CY62147G18-55BVXI Caractéristiques

Numéro d'article:	CY62147G18-55BVXI
Marque:	Rochester Electronics
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	circuits intégrés
Sous-catégorie:	mémoire
Fabricant:	Rochester Electronics
série:	MoBL®
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Active
type de mémoire:	Volatile
formatage de la mémoire:	SRAM
technologie:	SRAM - Asynchronous
taille mémoire:	4Mb (256K x 16)
interface mémoire:	Parallel
fréquence d'horloge:	-
temps de cycle d'écriture - mot, page:	55ns
temps d'accès:	55 ns
tension - alimentation:	1.65V ~ 2.2V
température de fonctionnement:	-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	48-VFBGA
paquet de dispositif de fournisseur:	48-VFBGA (6x8)

CY62147G18-55BVXI Documents

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