AS4C8M16MSA-6BINTR | Alliance Memory, Inc. AS4C8M16MSA-6BINTR | AS4C8M16MSA-6BINTR Inventory, Best Pricing

AS4C8M16MSA-6BINTR

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	AS4C8M16MSA-6BINTR
LIXINC Part #	AS4C8M16MSA-6BINTR
Fabricant	Alliance Memory, Inc.
Catégorie	circuits intégrés › mémoire
Description	IC DRAM 128MBIT PARALLEL 54FBGA
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	AS4C8M16MSA-6BINTR Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 18 - Oct 22 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

AS4C8M16MSA-6BINTR Caractéristiques

Numéro d'article:	AS4C8M16MSA-6BINTR
Marque:	Alliance Memory, Inc.
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	circuits intégrés
Sous-catégorie:	mémoire
Fabricant:	Alliance Memory, Inc.
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)
état de la pièce:	Active
type de mémoire:	Volatile
formatage de la mémoire:	DRAM
technologie:	SDRAM - Mobile
taille mémoire:	128Mb (8M x 16)
interface mémoire:	Parallel
fréquence d'horloge:	166 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:	-
temps d'accès:	5 ns
tension - alimentation:	1.7V ~ 1.95V
température de fonctionnement:	-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	54-VFBGA
paquet de dispositif de fournisseur:	54-FBGA (8x8)