CY7C1318KV18-250BZC | Rochester Electronics CY7C1318KV18-250BZC | CY7C1318KV18-250BZC Inventory, Best Pricing

CY7C1318KV18-250BZC

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Numéro d'article	CY7C1318KV18-250BZC
LIXINC Part #	CY7C1318KV18-250BZC
Fabricant	Rochester Electronics
Catégorie	circuits intégrés › mémoire
Description	DDR SRAM, 1MX18, 0.45NS, CMOS, P
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	CY7C1318KV18-250BZC Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 24 - Oct 28 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition

CY7C1318KV18-250BZC Caractéristiques

Numéro d'article:	CY7C1318KV18-250BZC
Marque:	Rochester Electronics
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	circuits intégrés
Sous-catégorie:	mémoire
Fabricant:	Rochester Electronics
série:	-
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Active
type de mémoire:	Volatile
formatage de la mémoire:	SRAM
technologie:	SRAM - Synchronous, DDR II
taille mémoire:	18Mb (1M x 18)
interface mémoire:	Parallel
fréquence d'horloge:	250 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:	-
temps d'accès:	-
tension - alimentation:	1.7V ~ 1.9V
température de fonctionnement:	0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	165-LBGA
paquet de dispositif de fournisseur:	165-FBGA (13x15)