CY14E256LA-SZ45XI

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Numéro d'article	CY14E256LA-SZ45XI
LIXINC Part #	CY14E256LA-SZ45XI
Fabricant	Rochester Electronics
Catégorie	circuits intégrés › mémoire
Description	IC NVSRAM 256KBIT PAR 32SOIC
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	CY14E256LA-SZ45XI Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 26 - Oct 30 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

CY14E256LA-SZ45XI Caractéristiques

Numéro d'article:	CY14E256LA-SZ45XI
Marque:	Rochester Electronics
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	circuits intégrés
Sous-catégorie:	mémoire
Fabricant:	Rochester Electronics
série:	-
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Active
type de mémoire:	Non-Volatile
formatage de la mémoire:	NVSRAM
technologie:	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
taille mémoire:	256Kb (32K x 8)
interface mémoire:	Parallel
fréquence d'horloge:	-
temps de cycle d'écriture - mot, page:	45ns
temps d'accès:	45 ns
tension - alimentation:	4.5V ~ 5.5V
température de fonctionnement:	-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	32-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
paquet de dispositif de fournisseur:	32-SOIC

CY14E256LA-SZ45XI Documents

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