AS8C803600-QC150N

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Numéro d'article	AS8C803600-QC150N
LIXINC Part #	AS8C803600-QC150N
Fabricant	Alliance Memory, Inc.
Catégorie	circuits intégrés › mémoire
Description	IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	AS8C803600-QC150N Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 26 - Oct 30 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

AS8C803600-QC150N Caractéristiques

Numéro d'article:	AS8C803600-QC150N
Marque:	Alliance Memory, Inc.
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	circuits intégrés
Sous-catégorie:	mémoire
Fabricant:	Alliance Memory, Inc.
série:	-
emballer:	Tray
état de la pièce:	Active
type de mémoire:	Volatile
formatage de la mémoire:	SRAM
technologie:	SRAM - Synchronous, SDR
taille mémoire:	9Mb (256K x 36)
interface mémoire:	Parallel
fréquence d'horloge:	150 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:	6.7ns
temps d'accès:	3.8 ns
tension - alimentation:	3.135V ~ 3.465V
température de fonctionnement:	0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	100-LQFP
paquet de dispositif de fournisseur:	100-TQFP (14x20)

AS8C803600-QC150N Documents

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