S27KL0641DABHI030 | Cypress Semiconductor S27KL0641DABHI030 | S27KL0641DABHI030 Inventory, Best Pricing

S27KL0641DABHI030

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	S27KL0641DABHI030
LIXINC Part #	S27KL0641DABHI030
Fabricant	Cypress Semiconductor
Catégorie	circuits intégrés › mémoire
Description	IC PSRAM 64MBIT PARALLEL 24FBGA
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	S27KL0641DABHI030 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 28 - Nov 01 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

S27KL0641DABHI030 Caractéristiques

Numéro d'article:	S27KL0641DABHI030
Marque:	Cypress Semiconductor
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	circuits intégrés
Sous-catégorie:	mémoire
Fabricant:	Cypress Semiconductor
série:	HyperRAM™ KL
emballer:	Tray
état de la pièce:	Active
type de mémoire:	Volatile
formatage de la mémoire:	PSRAM
technologie:	PSRAM (Pseudo SRAM)
taille mémoire:	64Mb (8M x 8)
interface mémoire:	Parallel
fréquence d'horloge:	100 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:	-
temps d'accès:	40 ns
tension - alimentation:	2.7V ~ 3.6V
température de fonctionnement:	-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	24-VBGA
paquet de dispositif de fournisseur:	24-FBGA (6x8)