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AS4C16M16D1-5BINTR

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Numéro d'article	AS4C16M16D1-5BINTR
LIXINC Part #	AS4C16M16D1-5BINTR
Fabricant	Alliance Memory, Inc.
Catégorie	circuits intégrés › mémoire
Description	IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60TFBGA
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	AS4C16M16D1-5BINTR Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 18 - Oct 22 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

AS4C16M16D1-5BINTR Caractéristiques

Numéro d'article:	AS4C16M16D1-5BINTR
Marque:	Alliance Memory, Inc.
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	circuits intégrés
Sous-catégorie:	mémoire
Fabricant:	Alliance Memory, Inc.
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)
état de la pièce:	Active
type de mémoire:	Volatile
formatage de la mémoire:	DRAM
technologie:	SDRAM - DDR
taille mémoire:	256Mb (16M x 16)
interface mémoire:	Parallel
fréquence d'horloge:	200 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:	15ns
temps d'accès:	700 ps
tension - alimentation:	2.3V ~ 2.7V
température de fonctionnement:	-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	60-TFBGA
paquet de dispositif de fournisseur:	60-TFBGA (8x13)