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CY7C1034DV33-10BGXI

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Numéro d'article CY7C1034DV33-10BGXI
LIXINC Part # CY7C1034DV33-10BGXI
Fabricant Rochester Electronics
Catégorie circuits intégrés › mémoire
Description IC SRAM 6MBIT PARALLEL 119PBGA
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO CY7C1034DV33-10BGXI Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 21 - Oct 25 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

CY7C1034DV33-10BGXI Caractéristiques

Numéro d'article:CY7C1034DV33-10BGXI
Marque:Rochester Electronics
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:Rochester Electronics
série:-
emballer:Tray
état de la pièce:Obsolete
type de mémoire:Volatile
formatage de la mémoire:SRAM
technologie:SRAM - Asynchronous
taille mémoire:6Mb (256K x 24)
interface mémoire:Parallel
fréquence d'horloge:-
temps de cycle d'écriture - mot, page:10ns
temps d'accès:10 ns
tension - alimentation:3V ~ 3.6V
température de fonctionnement:-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:119-BGA
paquet de dispositif de fournisseur:119-PBGA (14x22)

CY7C1034DV33-10BGXI Documents

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