S26KS512SDABHV030

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Numéro d'article	S26KS512SDABHV030
LIXINC Part #	S26KS512SDABHV030
Fabricant	Cypress Semiconductor
Catégorie	circuits intégrés › mémoire
Description	IC FLASH 512MBIT PARALLEL 24FBGA
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	S26KS512SDABHV030 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 18 - Oct 22 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

S26KS512SDABHV030 Caractéristiques

Numéro d'article:	S26KS512SDABHV030
Marque:	Cypress Semiconductor
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	circuits intégrés
Sous-catégorie:	mémoire
Fabricant:	Cypress Semiconductor
série:	HyperFlash™ KS
emballer:	Tray
état de la pièce:	Active
type de mémoire:	Non-Volatile
formatage de la mémoire:	FLASH
technologie:	FLASH - NOR
taille mémoire:	512Mb (64M x 8)
interface mémoire:	Parallel
fréquence d'horloge:	100 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:	-
temps d'accès:	96 ns
tension - alimentation:	1.7V ~ 1.95V
température de fonctionnement:	-40°C ~ 105°C (TA)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	24-VBGA
paquet de dispositif de fournisseur:	24-FBGA (6x8)

S26KS512SDABHV030 Documents

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