2SA1962-O(Q) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation 2SA1962-O(Q)

2SA1962-O(Q)

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Numéro d'article	2SA1962-O(Q)
LIXINC Part #	2SA1962-O(Q)
Fabricant	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - bipolaires (bjt) - simples
Description	TRANS PNP 230V 15A TO-3PN
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	2SA1962-O(Q) Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 08 - Oct 12 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

2SA1962-O(Q) Caractéristiques

Numéro d'article:	2SA1962-O(Q)
Marque:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - bipolaires (bjt) - simples
Fabricant:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
série:	-
emballer:	Tube
état de la pièce:	Active
à transistors:	PNP
courant - collecteur (ic) (max):	15 A
tension - claquage collecteur émetteur (max):	230 V
vce saturation (max) @ ib, ic:	3V @ 800mA, 8A
courant - coupure collecteur (max):	5µA (ICBO)
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:	80 @ 1A, 5V
puissance - maximum:	130 W
fréquence - transition:	30MHz
température de fonctionnement:	150°C (TJ)
Type de montage:	Through Hole
paquet / caisse:	TO-3P-3, SC-65-3
paquet de dispositif de fournisseur:	TO-3P(N)