2SA1382,T6MIBF(J | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation 2SA1382,T6MIBF(J

2SA1382,T6MIBF(J

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Numéro d'article	2SA1382,T6MIBF(J
LIXINC Part #	2SA1382,T6MIBF(J
Fabricant	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - bipolaires (bjt) - simples
Description	TRANS PNP 2A 50V TO226-3
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	2SA1382,T6MIBF(J Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 10 - Oct 14 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

2SA1382,T6MIBF(J Caractéristiques

Numéro d'article:	2SA1382,T6MIBF(J
Marque:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - bipolaires (bjt) - simples
Fabricant:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
série:	-
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Obsolete
à transistors:	PNP
courant - collecteur (ic) (max):	2 A
tension - claquage collecteur émetteur (max):	50 V
vce saturation (max) @ ib, ic:	500mV @ 33mA, 1A
courant - coupure collecteur (max):	100nA (ICBO)
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:	150 @ 500mA, 2V
puissance - maximum:	900 mW
fréquence - transition:	110MHz
température de fonctionnement:	150°C (TJ)
Type de montage:	Through Hole
paquet / caisse:	TO-226-3, TO-92-3 Long Body
paquet de dispositif de fournisseur:	TO-92MOD