BDT60B-S | J.W. Miller / Bourns BDT60B-S | BDT60B-S Inventory, Best Pricing

BDT60B-S

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Numéro d'article	BDT60B-S
LIXINC Part #	BDT60B-S
Fabricant	J.W. Miller / Bourns
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - bipolaires (bjt) - simples
Description	TRANS PNP DARL 100V 4A
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	BDT60B-S Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

BDT60B-S Caractéristiques

Numéro d'article:	BDT60B-S
Marque:	J.W. Miller / Bourns
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - bipolaires (bjt) - simples
Fabricant:	J.W. Miller / Bourns
série:	-
emballer:	Tube
état de la pièce:	Obsolete
à transistors:	PNP - Darlington
courant - collecteur (ic) (max):	4 A
tension - claquage collecteur émetteur (max):	100 V
vce saturation (max) @ ib, ic:	2.5V @ 6mA, 1.5A
courant - coupure collecteur (max):	500µA
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:	750 @ 1.5A, 3V
puissance - maximum:	2 W
fréquence - transition:	-
température de fonctionnement:	-65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Through Hole
paquet / caisse:	TO-220-3
paquet de dispositif de fournisseur:	TO-220