MJ11030G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor MJ11030G

MJ11030G

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Numéro d'article	MJ11030G
LIXINC Part #	MJ11030G
Fabricant	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - bipolaires (bjt) - simples
Description	TRANS NPN DARL 90V 50A TO-3
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	MJ11030G Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 06 - Oct 10 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

MJ11030G Caractéristiques

Numéro d'article:	MJ11030G
Marque:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - bipolaires (bjt) - simples
Fabricant:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:	-
emballer:	Tray
état de la pièce:	Obsolete
à transistors:	NPN - Darlington
courant - collecteur (ic) (max):	50 A
tension - claquage collecteur émetteur (max):	90 V
vce saturation (max) @ ib, ic:	3.5V @ 500mA, 50A
courant - coupure collecteur (max):	2mA
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:	1000 @ 25A, 5V
puissance - maximum:	300 W
fréquence - transition:	-
température de fonctionnement:	-55°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage:	Through Hole
paquet / caisse:	TO-204AE
paquet de dispositif de fournisseur:	TO-3