HN3C51F-BL(TE85L,F | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation HN3C51F-BL(TE85L,F | HN3C51F-BL(TE85L,F Inventory, Best Pricing

HN3C51F-BL(TE85L,F

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	HN3C51F-BL(TE85L,F
LIXINC Part #	HN3C51F-BL(TE85L,F
Fabricant	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - bipolaires (bjt) - matrices
Description	TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	HN3C51F-BL(TE85L,F Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

HN3C51F-BL(TE85L,F Caractéristiques

Numéro d'article:	HN3C51F-BL(TE85L,F
Marque:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - bipolaires (bjt) - matrices
Fabricant:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Obsolete
à transistors:	2 NPN (Dual)
courant - collecteur (ic) (max):	100mA
tension - claquage collecteur émetteur (max):	120V
vce saturation (max) @ ib, ic:	300mV @ 1mA, 10mA
courant - coupure collecteur (max):	100nA (ICBO)
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:	350 @ 2mA, 6V
puissance - maximum:	300mW
fréquence - transition:	100MHz
température de fonctionnement:	150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	SC-74, SOT-457
paquet de dispositif de fournisseur:	SM6