STW70N10F4 | STMicroelectronics STW70N10F4 | STW70N10F4 Inventory, Best Pricing

STW70N10F4

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	STW70N10F4
LIXINC Part #	STW70N10F4
Fabricant	STMicroelectronics
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 100V 65A TO247-3
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	STW70N10F4 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 07 - Oct 11 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

STW70N10F4 Caractéristiques

Numéro d'article:	STW70N10F4
Marque:	STMicroelectronics
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	STMicroelectronics
série:	DeepGATE™, STripFET™
emballer:	Tube
état de la pièce:	Obsolete
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	100 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	65A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	10V
rds sur (max) @ id, vgs:	19.5mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	85 nC @ 10 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	5800 pF @ 25 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	150W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:	Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:	TO-247-3
paquet / caisse:	TO-247-3