FQD5N60CTM_F080 | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FQD5N60CTM_F080

FQD5N60CTM_F080

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Numéro d'article	FQD5N60CTM_F080
LIXINC Part #	FQD5N60CTM_F080
Fabricant	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	FQD5N60CTM_F080 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

FQD5N60CTM_F080 Caractéristiques

Numéro d'article:	FQD5N60CTM_F080
Marque:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:	QFET®
emballer:	Tape & Reel (TR)
état de la pièce:	Obsolete
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	600 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	2.8A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	10V
rds sur (max) @ id, vgs:	2.5Ohm @ 1.4A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	19 nC @ 10 V
vg (max):	±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	670 pF @ 25 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	2.5W (Ta), 49W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	D-Pak
paquet / caisse:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63