IRF9Z24NLPBF | IR (Infineon Technologies) IRF9Z24NLPBF | IRF9Z24NLPBF Inventory, Best Pricing

IRF9Z24NLPBF

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	IRF9Z24NLPBF
LIXINC Part #	IRF9Z24NLPBF
Fabricant	IR (Infineon Technologies)
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET P-CH 55V 12A TO262
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	IRF9Z24NLPBF Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 21 - Sep 25 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

IRF9Z24NLPBF Caractéristiques

Numéro d'article:	IRF9Z24NLPBF
Marque:	IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	IR (Infineon Technologies)
série:	HEXFET®
emballer:	Tube
état de la pièce:	Obsolete
type fet:	P-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	55 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	12A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	10V
rds sur (max) @ id, vgs:	175mOhm @ 7.2A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	19 nC @ 10 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	350 pF @ 25 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	3.8W (Ta), 45W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:	Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:	TO-262
paquet / caisse:	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA