IRLL2703TR | IR (Infineon Technologies) IRLL2703TR | IRLL2703TR Inventory, Best Pricing

IRLL2703TR

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	IRLL2703TR
LIXINC Part #	IRLL2703TR
Fabricant	IR (Infineon Technologies)
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	IRLL2703TR Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 21 - Sep 25 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

IRLL2703TR Caractéristiques

Numéro d'article:	IRLL2703TR
Marque:	IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	IR (Infineon Technologies)
série:	HEXFET®
emballer:	Tape & Reel (TR)
état de la pièce:	Obsolete
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	30 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	3.9A (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	4V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:	45mOhm @ 3.9A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.4V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	14 nC @ 5 V
vg (max):	±16V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	530 pF @ 25 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	1W (Ta)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	SOT-223
paquet / caisse:	TO-261-4, TO-261AA