APTC90DAM60T1G | Microsemi APTC90DAM60T1G | APTC90DAM60T1G Inventory, Best Pricing

APTC90DAM60T1G

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Numéro d'article	APTC90DAM60T1G
LIXINC Part #	APTC90DAM60T1G
Fabricant	Microsemi
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 900V 59A SP1
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	APTC90DAM60T1G Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

APTC90DAM60T1G Caractéristiques

Numéro d'article:	APTC90DAM60T1G
Marque:	Microsemi
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Microsemi
série:	CoolMOS™
emballer:	Tray
état de la pièce:	Obsolete
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	900 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	59A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	10V
rds sur (max) @ id, vgs:	60mOhm @ 52A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.5V @ 6mA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	540 nC @ 10 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	13600 pF @ 100 V
fonction fet:	Super Junction
puissance dissipée (max):	462W (Tc)
température de fonctionnement:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Chassis Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	SP1
paquet / caisse:	SP1