APT20M22B2VFRG | Microsemi APT20M22B2VFRG | APT20M22B2VFRG Inventory, Best Pricing

APT20M22B2VFRG

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	APT20M22B2VFRG
LIXINC Part #	APT20M22B2VFRG
Fabricant	Microsemi
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 200V 100A T-MAX
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	APT20M22B2VFRG Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

APT20M22B2VFRG Caractéristiques

Numéro d'article:	APT20M22B2VFRG
Marque:	Microsemi
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Microsemi
série:	POWER MOS V®
emballer:	Tube
état de la pièce:	Obsolete
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	200 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	100A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	10V
rds sur (max) @ id, vgs:	22mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 2.5mA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	435 nC @ 10 V
vg (max):	±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	10200 pF @ 25 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	520W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:	T-MAX™ [B2]
paquet / caisse:	TO-247-3 Variant