BST72A,112 | NXP Semiconductors BST72A,112 | BST72A,112 Inventory, Best Pricing

BST72A,112

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Numéro d'article	BST72A,112
LIXINC Part #	BST72A,112
Fabricant	NXP Semiconductors
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 100V 190MA TO92-3
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	BST72A,112 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 24 - Sep 28 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

BST72A,112 Caractéristiques

Numéro d'article:	BST72A,112
Marque:	NXP Semiconductors
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	NXP Semiconductors
série:	TrenchMOS™
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Obsolete
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	100 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	190mA (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	5V
rds sur (max) @ id, vgs:	10Ohm @ 150mA, 5V
vgs(th) (max) @ id:	3.5V @ 1mA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	-
vg (max):	20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	40 pF @ 10 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	830mW (Ta)
température de fonctionnement:	150°C (TJ)
Type de montage:	Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:	TO-92-3
paquet / caisse:	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)