TSM6NB60CI C0G | TSC (Taiwan Semiconductor) TSM6NB60CI C0G | TSM6NB60CI C0G Inventory, Best Pricing

TSM6NB60CI C0G

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	TSM6NB60CI C0G
LIXINC Part #	TSM6NB60CI C0G
Fabricant	TSC (Taiwan Semiconductor)
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 600V 6A ITO220AB
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	TSM6NB60CI C0G Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 25 - Sep 29 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

TSM6NB60CI C0G Caractéristiques

Numéro d'article:	TSM6NB60CI C0G
Marque:	TSC (Taiwan Semiconductor)
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	TSC (Taiwan Semiconductor)
série:	-
emballer:	Tube
état de la pièce:	Obsolete
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	600 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	6A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	10V
rds sur (max) @ id, vgs:	1.6Ohm @ 3A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4.5V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	18.3 nC @ 10 V
vg (max):	±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	872 pF @ 25 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	40W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:	ITO-220AB
paquet / caisse:	TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab