2N7000,126 | NXP Semiconductors 2N7000,126 | 2N7000,126 Inventory, Best Pricing

2N7000,126

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	2N7000,126
LIXINC Part #	2N7000,126
Fabricant	NXP Semiconductors
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	2N7000,126 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 26 - Sep 30 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

2N7000,126 Caractéristiques

Numéro d'article:	2N7000,126
Marque:	NXP Semiconductors
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	NXP Semiconductors
série:	TrenchMOS™
emballer:	Tape & Box (TB)
état de la pièce:	Obsolete
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	60 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	300mA (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	4.5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:	5Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 1mA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	-
vg (max):	±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	40 pF @ 10 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	830mW (Ta)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:	TO-92-3
paquet / caisse:	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)