STB200NF04L-1 | STMicroelectronics STB200NF04L-1 | STB200NF04L-1 Inventory, Best Pricing

STB200NF04L-1

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	STB200NF04L-1
LIXINC Part #	STB200NF04L-1
Fabricant	STMicroelectronics
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	STB200NF04L-1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 26 - Sep 30 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

STB200NF04L-1 Caractéristiques

Numéro d'article:	STB200NF04L-1
Marque:	STMicroelectronics
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	STMicroelectronics
série:	STripFET™ II
emballer:	Tube
état de la pièce:	Obsolete
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	40 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	120A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:	3.8mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	90 nC @ 4.5 V
vg (max):	±16V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	6400 pF @ 25 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	300W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:	Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:	I2PAK
paquet / caisse:	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA