NVMFS6B14NLWFT1G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NVMFS6B14NLWFT1G

NVMFS6B14NLWFT1G

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	NVMFS6B14NLWFT1G
LIXINC Part #	NVMFS6B14NLWFT1G
Fabricant	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 100V 11A/55A 5DFN
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	NVMFS6B14NLWFT1G Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 27 - Oct 01 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

NVMFS6B14NLWFT1G Caractéristiques

Numéro d'article:	NVMFS6B14NLWFT1G
Marque:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:	Automotive, AEC-Q101
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	100 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	11A (Ta), 55A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	4.5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:	13mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	8 nC @ 4.5 V
vg (max):	±16V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	1680 pF @ 25 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	3.8W (Ta), 94W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
paquet / caisse:	8-PowerTDFN