STS4DNFS30L | STMicroelectronics STS4DNFS30L | STS4DNFS30L Inventory, Best Pricing

STS4DNFS30L

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	STS4DNFS30L
LIXINC Part #	STS4DNFS30L
Fabricant	STMicroelectronics
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 30V 4A 8SO
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	STS4DNFS30L Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

STS4DNFS30L Caractéristiques

Numéro d'article:	STS4DNFS30L
Marque:	STMicroelectronics
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	STMicroelectronics
série:	STripFET™
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Obsolete
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	30 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	4A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:	55mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	1V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	9 nC @ 5 V
vg (max):	±16V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	330 pF @ 25 V
fonction fet:	Schottky Diode (Isolated)
puissance dissipée (max):	2W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	8-SO
paquet / caisse:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)