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Numéro d'article | SIS430DN-T1-GE3 |
LIXINC Part # | SIS430DN-T1-GE3 |
Fabricant | Vishay / Siliconix |
Catégorie | semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples |
Description | MOSFET N-CH 25V 35A PPAK 1212-8 |
Cycle de vie | Actif |
RoHS | Aucune information RoHS |
Modèles EDA/CAO | SIS430DN-T1-GE3 Empreinte et symbole PCB |
Entrepôts | États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong |
Délai de livraison estimé | Jul 08 - Jul 12 2024(Choisissez l'expédition accélérée) |
garantie | Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]* |
Paiement | ![]() |
Expédition | ![]() |
Numéro d'article: | SIS430DN-T1-GE3 |
Marque: | Vishay / Siliconix |
Cycle de vie: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Catégorie: | semi-conducteur discret |
Sous-catégorie: | transistors - fets, mosfets - simples |
Fabricant: | Vishay / Siliconix |
série: | TrenchFET® |
emballer: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
état de la pièce: | Obsolete |
type fet: | N-Channel |
technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
tension drain-source (vdss): | 25 V |
courant - drain continu (id) @ 25°c: | 35A (Tc) |
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé): | 4.5V, 10V |
rds sur (max) @ id, vgs: | 5.1mOhm @ 20A, 10V |
vgs(th) (max) @ id: | 2.5V @ 250µA |
charge de grille (qg) (max) @ vgs: | 40 nC @ 10 V |
vg (max): | ±20V |
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds: | 1600 pF @ 12.5 V |
fonction fet: | - |
puissance dissipée (max): | 3.8W (Ta), 52W (Tc) |
température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage: | Surface Mount |
paquet de dispositif de fournisseur: | PowerPAK® 1212-8 |
paquet / caisse: | PowerPAK® 1212-8 |
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AON6454A_001 | MOSFET N-CH 150V 8DFN | 830 Plus sur la commande |
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IRF6215L-103 | MOSFET P-CH 150V 13A TO262 | 915 Plus sur la commande |
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SI1472DH-T1-E3 | MOSFET N-CH 30V 5.6A SC70-6 | 884 Plus sur la commande |
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IRFR3504ZTRL | MOSFET N-CH 40V 42A DPAK | 968 Plus sur la commande |
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STP185N10F3 | MOSFET N-CH 100V 120A TO220 | 949 Plus sur la commande |
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FQP630TSTU | MOSFET N-CH 200V 9A TO220-3 | 909 Plus sur la commande |
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IPU80R1K4CEAKMA1 | MOSFET N-CH 800V 3.9A TO251-3 | 947 Plus sur la commande |
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GA05JT01-46 | TRANS SJT 100V 9A TO46 | 885 Plus sur la commande |
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IRFM210BTF_FP001 | MOSFET N-CH 200V 770MA SOT223-4 | 832 Plus sur la commande |
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2N7002E-T1-E3 | MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3 | 972 Plus sur la commande |
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2SK4209 | MOSFET N-CH 800V 12A TO3PB | 839 Plus sur la commande |
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IRF7523D1TR | MOSFET N-CH 30V 2.7A MICRO8 | 975 Plus sur la commande |
En stock | 10952 - Plus sur la commande |
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Limite de devis | Sans limites |
Délai de mise en œuvre | Être confirmé |
Le minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.0000 | $0 |
100 | $0.0000 | $0 |
500 | $0.0000 | $0 |
1000 | $0.0000 | $0 |
2500 | $0.0000 | $0 |
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