SI2305ADS-T1-E3 | Vishay / Siliconix SI2305ADS-T1-E3 | SI2305ADS-T1-E3 Inventory, Best Pricing

SI2305ADS-T1-E3

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	SI2305ADS-T1-E3
LIXINC Part #	SI2305ADS-T1-E3
Fabricant	Vishay / Siliconix
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET P-CH 8V 5.4A SOT23-3
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	SI2305ADS-T1-E3 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 08 - Oct 12 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

SI2305ADS-T1-E3 Caractéristiques

Numéro d'article:	SI2305ADS-T1-E3
Marque:	Vishay / Siliconix
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Vishay / Siliconix
série:	TrenchFET®
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Obsolete
type fet:	P-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	8 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	5.4A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	1.8V, 4.5V
rds sur (max) @ id, vgs:	40mOhm @ 4.1A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	800mV @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	15 nC @ 4.5 V
vg (max):	±8V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	740 pF @ 4 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	960mW (Ta), 1.7W (Tc)
température de fonctionnement:	-50°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	SOT-23-3 (TO-236)
paquet / caisse:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3