GA05JT12-247 | GeneSiC Semiconductor GA05JT12-247 | GA05JT12-247 Inventory, Best Pricing

GA05JT12-247

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Numéro d'article	GA05JT12-247
LIXINC Part #	GA05JT12-247
Fabricant	GeneSiC Semiconductor
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	TRANS SJT 1200V 5A TO247AB
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	GA05JT12-247 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 08 - Oct 12 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

GA05JT12-247 Caractéristiques

Numéro d'article:	GA05JT12-247
Marque:	GeneSiC Semiconductor
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	GeneSiC Semiconductor
série:	-
emballer:	Tube
état de la pièce:	Obsolete
type fet:	-
technologie:	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
tension drain-source (vdss):	1200 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	5A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	-
rds sur (max) @ id, vgs:	280mOhm @ 5A
vgs(th) (max) @ id:	-
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	-
vg (max):	-
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	-
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	106W (Tc)
température de fonctionnement:	175°C (TJ)
Type de montage:	Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:	TO-247AB
paquet / caisse:	TO-247-3