IRF7702GTRPBF

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Numéro d'article IRF7702GTRPBF
LIXINC Part # IRF7702GTRPBF
Fabricant IR (Infineon Technologies)
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET P-CH 12V 8A 8TSSOP
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO IRF7702GTRPBF Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 11 - Oct 15 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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IRF7702GTRPBF Caractéristiques

Numéro d'article:IRF7702GTRPBF
Marque:IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:IR (Infineon Technologies)
série:HEXFET®
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Obsolete
type fet:P-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):12 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:8A (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):1.8V, 4.5V
rds sur (max) @ id, vgs:14mOhm @ 8A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:1.2V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:81 nC @ 4.5 V
vg (max):±8V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:3470 pF @ 10 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):1.5W (Ta)
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:8-TSSOP
paquet / caisse:8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

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