RDN080N25FU6

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Numéro d'article RDN080N25FU6
LIXINC Part # RDN080N25FU6
Fabricant ROHM Semiconductor
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N-CH 250V 8A TO220FN
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO RDN080N25FU6 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 11 - Oct 15 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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RDN080N25FU6 Caractéristiques

Numéro d'article:RDN080N25FU6
Marque:ROHM Semiconductor
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:ROHM Semiconductor
série:-
emballer:Bulk
état de la pièce:Obsolete
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):250 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:8A (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):10V
rds sur (max) @ id, vgs:500mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (max) @ id:4V @ 1mA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:30 nC @ 10 V
vg (max):±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:543 pF @ 10 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):35W (Tc)
température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:TO-220FN
paquet / caisse:TO-220-3 Full Pack

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