PHM12NQ20T,518 | NXP Semiconductors PHM12NQ20T,518 | PHM12NQ20T,518 Inventory, Best Pricing

PHM12NQ20T,518

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Numéro d'article	PHM12NQ20T,518
LIXINC Part #	PHM12NQ20T,518
Fabricant	NXP Semiconductors
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 200V 14.4A 8HVSON
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	PHM12NQ20T,518 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 11 - Oct 15 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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PHM12NQ20T,518 Caractéristiques

Numéro d'article:	PHM12NQ20T,518
Marque:	NXP Semiconductors
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	NXP Semiconductors
série:	TrenchMOS™
emballer:	Tape & Reel (TR)
état de la pièce:	Obsolete
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	200 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	14.4A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:	130mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 1mA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	26 nC @ 10 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	1230 pF @ 25 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	62.5W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	8-HVSON (6x5)
paquet / caisse:	8-VDFN Exposed Pad