IPD12CNE8N G | IR (Infineon Technologies) IPD12CNE8N G | IPD12CNE8N G Inventory, Best Pricing

IPD12CNE8N G

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Numéro d'article	IPD12CNE8N G
LIXINC Part #	IPD12CNE8N G
Fabricant	IR (Infineon Technologies)
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 85V 67A TO252-3
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	IPD12CNE8N G Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 21 - Sep 25 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

IPD12CNE8N G Caractéristiques

Numéro d'article:	IPD12CNE8N G
Marque:	IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	IR (Infineon Technologies)
série:	OptiMOS™
emballer:	Tape & Reel (TR)
état de la pièce:	Obsolete
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	85 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	67A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	10V
rds sur (max) @ id, vgs:	12.4mOhm @ 67A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 83µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	64 nC @ 10 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	4340 pF @ 40 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	125W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	PG-TO252-3
paquet / caisse:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63