STV160NF02LT4 | STMicroelectronics STV160NF02LT4 | STV160NF02LT4 Inventory, Best Pricing

STV160NF02LT4

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Numéro d'article	STV160NF02LT4
LIXINC Part #	STV160NF02LT4
Fabricant	STMicroelectronics
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 20V 160A 10POWERSO
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	STV160NF02LT4 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

STV160NF02LT4 Caractéristiques

Numéro d'article:	STV160NF02LT4
Marque:	STMicroelectronics
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	STMicroelectronics
série:	STripFET™ II
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Obsolete
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	20 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	160A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:	2.5mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	1V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	160 nC @ 10 V
vg (max):	±15V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	4800 pF @ 15 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	210W (Tc)
température de fonctionnement:	175°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	10-PowerSO
paquet / caisse:	PowerSO-10 Exposed Bottom Pad