HUF75309T3ST | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor HUF75309T3ST

HUF75309T3ST

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Numéro d'article	HUF75309T3ST
LIXINC Part #	HUF75309T3ST
Fabricant	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 55V 3A SOT223-4
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	HUF75309T3ST Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition

HUF75309T3ST Caractéristiques

Numéro d'article:	HUF75309T3ST
Marque:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)
état de la pièce:	Obsolete
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	55 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	3A (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	10V
rds sur (max) @ id, vgs:	70mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	23 nC @ 20 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	352 pF @ 25 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	1.1W (Ta)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	SOT-223-4
paquet / caisse:	TO-261-4, TO-261AA