BAS216,115 | NXP Semiconductors BAS216,115 | BAS216,115 Inventory, Best Pricing

BAS216,115

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Numéro d'article	BAS216,115
LIXINC Part #	BAS216,115
Fabricant	NXP Semiconductors
Catégorie	semi-conducteur discret › diodes - redresseurs - simples
Description	DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD2
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	BAS216,115 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 10 - Oct 14 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

BAS216,115 Caractéristiques

Numéro d'article:	BAS216,115
Marque:	NXP Semiconductors
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	diodes - redresseurs - simples
Fabricant:	NXP Semiconductors
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Obsolete
type de diodes:	Standard
tension - dc inverse (vr) (max):	75 V
courant - moyen redressé (io):	250mA (DC)
tension - avant (vf) (max) @ si:	1.25 V @ 150 mA
vitesse:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
temps de récupération inverse (trr):	4 ns
courant - fuite inverse @ vr:	1 µA @ 75 V
capacité @ vr, f:	1.5pF @ 0V, 1MHz
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	SOD-110
paquet de dispositif de fournisseur:	SOD110
température de fonctionnement - jonction:	150°C (Max)