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1N8026-GA

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Numéro d'article	1N8026-GA
LIXINC Part #	1N8026-GA
Fabricant	GeneSiC Semiconductor
Catégorie	semi-conducteur discret › diodes - redresseurs - simples
Description	DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	1N8026-GA Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

1N8026-GA Caractéristiques

Numéro d'article:	1N8026-GA
Marque:	GeneSiC Semiconductor
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	diodes - redresseurs - simples
Fabricant:	GeneSiC Semiconductor
série:	-
emballer:	Tube
état de la pièce:	Obsolete
type de diodes:	Silicon Carbide Schottky
tension - dc inverse (vr) (max):	1200 V
courant - moyen redressé (io):	8A (DC)
tension - avant (vf) (max) @ si:	1.6 V @ 2.5 A
vitesse:	No Recovery Time > 500mA (Io)
temps de récupération inverse (trr):	0 ns
courant - fuite inverse @ vr:	10 µA @ 1200 V
capacité @ vr, f:	237pF @ 1V, 1MHz
Type de montage:	Through Hole
paquet / caisse:	TO-257-3
paquet de dispositif de fournisseur:	TO-257
température de fonctionnement - jonction:	-55°C ~ 250°C