NE856M02-T1-AZ | CEL (California Eastern Laboratories) NE856M02-T1-AZ

NE856M02-T1-AZ

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Numéro d'article	NE856M02-T1-AZ
LIXINC Part #	NE856M02-T1-AZ
Fabricant	CEL (California Eastern Laboratories)
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - bipolaires (bjt) - rf
Description	RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	NE856M02-T1-AZ Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 21 - Oct 25 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

NE856M02-T1-AZ Caractéristiques

Numéro d'article:	NE856M02-T1-AZ
Marque:	CEL (California Eastern Laboratories)
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - bipolaires (bjt) - rf
Fabricant:	CEL (California Eastern Laboratories)
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Obsolete
à transistors:	NPN
tension - claquage collecteur émetteur (max):	12V
fréquence - transition:	6.5GHz
facteur de bruit (db typ @ f):	1.1dB @ 1GHz
gagner:	12dB
puissance - maximum:	1.2W
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:	50 @ 20mA, 10V
courant - collecteur (ic) (max):	100mA
température de fonctionnement:	150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	TO-243AA
paquet de dispositif de fournisseur:	SOT-89